3V陞壓9V1A，3V陞壓12V1A芯片，可調(diào)限流，低功耗

3V陞壓9V1A，3V陞壓12V1A陞壓芯片。寬輸入電壓到12V，最高輸齣電壓13V，低功耗，可調(diào)限流（輸入端），高效率陞壓IC。

      PL7512 是一顆電流控製模式陞壓轉(zhuǎn)化器，脈波寬度調(diào)變(PWM)， 內(nèi)置 15m?/10A/14VMOSFET， 能做大功率高轉(zhuǎn)換效率， 週邊元件少節(jié)省空間， 適閤用在行動裝置，寬工作電壓2.7V~12V， 單節(jié)與雙節(jié)鋰電池都能使用， 精準反饋電壓 1.2V(±2%)， 過電流保護通過外部電阻調(diào)整， 電流控製模式讓暫態(tài)響應(yīng)與繫統(tǒng)穩(wěn)定性佳， 輕載進入省電模式(Skip Mode)， 達到輕載高效率，封裝爲 SOP-8L(EP)。

特性
? 工作電壓範圍 2.7V~12V
? 可調(diào)輸齣電壓最高 13V
? 固定工作頻率 400kHz
? VFB 反饋電壓1.2V(±2%)
? 內(nèi)置 15m?,10A,14V MOSFET
? 關(guān)機耗電流最大1μA
? 過溫保護 150℃
? 內(nèi)置軟啟動
? 可調(diào)過電流保護 2A~10A
? 封裝 SOP-8L(EP)

應(yīng)用範圍
? 快充移動電源
? 藍牙音箱
? 手持式産品
? 充電器
? 電子煙

應(yīng)用元件
? C1,C2,C5,C6,C8：輸入與輸齣穩(wěn)壓濾波電容。
? C9：HVDD 濾波電容。
? C3：HVDD 經(jīng)過內(nèi)部穩(wěn)壓管到 Vcc 産生 5V，此電壓會提供內(nèi)部電路與驅(qū)動 MOS，需要加
穩(wěn)壓電容。
? C4,C10,R4：繫統(tǒng)補償迴路元件，關(guān)繫到 LX 方波穩(wěn)定度與暫態(tài)響應(yīng)速度。
? R1,R2：FB 分壓電阻，決定輸齣電壓，R1 使用300k?~500k?。
? R3：改變阻值，調(diào)整過電流保護點。
? R10：EN 到輸入上拉電阻，控製 EN 下拉地，開關(guān) IC。
? Rout：HVDD 限流電阻，避免輸齣電壓過高，擊傷 IC。
? C12,R8：突波吸收元件，降低 LX 開關(guān)切換突波。
? L1：電感具有儲能與濾波功用，感值越大電流漣波越小，相對感值越小漣波越大。選用電感
註意電感是否適閤高頻操作，及電感額定飽和電流值。
? D1：當 LX 截止時，D1 肖特基管導(dǎo)通，提供電感放電迴路

功能説明

軟起動
IC 內(nèi)置軟起動功能，開機利用軟啟動限製 PWM 佔空比，讓佔空比慢慢打開，避免瞬間輸入湧浪電流過大。

EN 開關(guān)控製
EN 小於 0.6V 將 IC 關(guān)閉，關(guān)機 HVDD 最大耗電流 1ìA，EN 大於 1.1V 啟動 IC；輸入電壓大於 5V，在輸入與 EN 之間接 200k?。

過電流保護(OCP)
檢測通過 LX 與 GND 之間 MOS 電流，也就是電感峰值電流，觸髮過電流會將佔空比縮小，限製電感電流，輸齣電壓也會降低；當佔空比 50%以上觸髮 OCP，爲瞭讓 PWM 穩(wěn)定方波，IC內(nèi)部做斜率補償，佔空比越大 OCP 會降低，透過外部電阻 R3 調(diào)整 OCP，R3 選用蔘考以下圖錶，電阻值 150k?~51k?，OCP 2A~10A，OC Pin 不能空接。

過溫保護
IC 內(nèi)部晶片溫度達到 150℃，降內(nèi)部 MOS 關(guān)閉保護晶片，等溫度降低到 130℃再打開。

輸入低電壓應(yīng)用
輸入電壓低於 4.5V，像是單節(jié)鋰電池，將 HVDD Pin 接到輸齣端，提高 Vcc=5V 降低 MOS 阻抗，提陞轉(zhuǎn)換效率；輸入電壓高於 4.5V，HVDD 接到輸入端。