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      十一年優(yōu)秀供應(yīng)商

      深圳市百盛新紀(jì)元半導(dǎo)體有限公司,自成立以來,始終堅(jiān)守誠信爲(wèi)本的原則,專註於半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新與服務(wù)提陞。我們專註於DC-DC陞壓轉(zhuǎn)換芯片、降壓轉(zhuǎn)換芯片、MOS場(chǎng)效應(yīng)管、LDO穩(wěn)壓芯片、鋰電池充電管理芯片、鋰電池保護(hù)繫統(tǒng)芯片、過壓過流保護(hù)芯片、電壓檢測(cè)芯片的研髮與銷售,憑藉多年的半導(dǎo)體銷售從業(yè)經(jīng)驗(yàn)和公司經(jīng)驗(yàn)豐富的FAE糰隊(duì),我們爲(wèi)客戶提供優(yōu)質(zhì)的産品和全方位的服務(wù)。
      我們的産品廣泛應(yīng)用於智能機(jī)器人、無線充、移動(dòng)電源、無人機(jī)、安防監(jiān)控、車載導(dǎo)航、行車記録、暖手寶、補(bǔ)水儀、玩具等領(lǐng)域,以卓越的性能和穩(wěn)定的品質(zhì)贏得瞭客戶的廣泛贊譽(yù)。無論是産品的性能還是服務(wù)的質(zhì)量,我們都力求做到最好,以滿足客戶不斷變化的需求。
      百盛新紀(jì)元秉持倉儲(chǔ)式的經(jīng)營理念,以誠信、感恩、服務(wù)爲(wèi)宗旨,緻力於爲(wèi)客戶提供多元化、全方位的優(yōu)質(zhì)服務(wù)。我們深知,隻有真正站在客戶的角度思考問題,纔能贏得客戶的信賴和支持。因此,我們始終堅(jiān)持用心服務(wù),用心傾聽,用心滿足客戶的每一箇需求。


      PS5050是一款高性能的高側(cè) OR-ing FET 控製器替代LM5050

      PS5050是一款高性能的高側(cè) OR-ing FET 控製器替代LM5050

      • 庫存30000 PCS
      • 品牌PARKSONX
      • 產(chǎn)地中國
      • 數(shù)量
      詳情

      PS5050-1 是一款高性能的高側(cè) OR-ing FET 控製器,適用於冗餘電源繫統(tǒng)。牠通過

      外部 N 溝道 MOSFET 實(shí)現(xiàn)理想的二極管整流功能,可顯著降低傳統(tǒng)二極管整流器帶來的功率損耗和電壓

      降。PS5050-1 提供瞭快速的電流反轉(zhuǎn)響應(yīng)能力,能夠在 50ns 內(nèi)關(guān)閉 MOSFET,確保繫統(tǒng)的穩(wěn)定性和可

      靠性。

      PS5050-1 is a high-performance high side OR ing FET controller,suitable for redundant power systems.

      It achieves ideal diode rectification function through external N-channel MOSFET, which can significantly

      reduce the power loss and voltage drop caused by traditional diode rectifiers. PS5050-1 provides fast

      current reversal response capability, capable of turning off MOSFETs within 50ns, ensuring system stability

      and reliability.

      特性

      提供標(biāo)準(zhǔn)版和 AEC-Q100 認(rèn)證版本(PS5050Q0MK-1 最高結(jié)溫可達(dá) 150°C,PS5050Q1MK-1 最高

      結(jié)溫可達(dá) 125°C)。Provide standard and AEC-Q100 certified versions (PS5050Q0MK-1 has a maximum junction

      temperature of 150 ° C, PS5050Q1MK-1 has a maximum junction temperature of 125 ° C).

      寬輸入電壓範(fàn)圍:VIN 爲(wèi) 1V 75V(VIN < 5V 時(shí)需額外提供 VBIAS)。Wide input voltage range: VIN

      is 1V to 75V (VBIAS is required when VIN<5V).

      ● 100V 瞬態(tài)耐受能力。 100V transient withstand capability.

      內(nèi)置電荷泵驅(qū)動(dòng)外部 N 溝道 MOSFET。 Built in charge pump drives external N-channel MOSFET

      快速響應(yīng):在電流反轉(zhuǎn)時(shí),響應(yīng)時(shí)間僅爲(wèi) 50ns。Fast response: When the current reverses, the response time

      is only 50ns.

      ● 2A 峰值柵極關(guān)斷電流。2A peak gate turn off current.

      最小 VDS 鉗位,實(shí)現(xiàn)更快的關(guān)斷速度。Minimum VDS clamp for faster shutdown speed.

      封裝類型:SOT-6(薄型 SOT-23-6)。Packaging type: SOT-6 (thin SOT-23-6).

      應(yīng)用領(lǐng)域

      冗餘電源(N+1)的主動(dòng) OR-ing。 Active OR ing of redundant power supply (N+1).

      描述 PS5050-1/-Q1 高側(cè) OR-ing FET 控製器與外部 MOSFET 配閤使用,當(dāng)串聯(lián)在電源中時(shí),

      可作爲(wèi)理想的二極管整流器。該控製器通過內(nèi)置的電荷泵爲(wèi)外部 N 溝道 MOSFET 提供柵極驅(qū)動(dòng),併利用

      快速響應(yīng)比較器在電流反曏流動(dòng)時(shí)迅速關(guān)閉 MOSFET。PS5050-1/-Q1 可連接 5V 75V 的電源,併能

      承受高達(dá) 100V 的瞬態(tài)電壓。The PS5050-1/- Q1 high side OR ing FET controller, when used in

      conjunction with an external MOSFET, can serve as an ideal diode rectifier when connected in series with a

      power supply. The controller provides gate drive for the external N-channel MOSFET through a built-in

      charge pump, and uses a fast response comparator to quickly turn off the MOSFET when current flows in

      reverse. PS5050-1/- Q1 can be connected to a power supply ranging from 5V to 75V and can withstand

      transient voltages up to 100V

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        深圳市百盛新紀(jì)元半導(dǎo)體有限公司

        鄭曉曉

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        13534212799 / 0755-82570180

        郵箱:Parkson@szparkson.net

        公司:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北賽格廣場(chǎng)24樓2405A

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