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            十一年優(yōu)秀供應(yīng)商

            深圳市百盛新紀(jì)元半導(dǎo)體有限公司,自成立以來(lái),始終堅(jiān)守誠(chéng)信為本的原則,專(zhuān)注于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新與服務(wù)提升。我們專(zhuān)注于DC-DC升壓轉(zhuǎn)換芯片、降壓轉(zhuǎn)換芯片、MOS場(chǎng)效應(yīng)管、LDO穩(wěn)壓芯片、鋰電池充電管理芯片、鋰電池保護(hù)系統(tǒng)芯片、過(guò)壓過(guò)流保護(hù)芯片、電壓檢測(cè)芯片的研發(fā)與銷(xiāo)售,憑借多年的半導(dǎo)體銷(xiāo)售從業(yè)經(jīng)驗(yàn)和公司經(jīng)驗(yàn)豐富的FAE團(tuán)隊(duì),我們?yōu)榭蛻?hù)提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和全方位的服務(wù)。
            我們的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能機(jī)器人、無(wú)線充、移動(dòng)電源、無(wú)人機(jī)、安防監(jiān)控、車(chē)載導(dǎo)航、行車(chē)記錄、暖手寶、補(bǔ)水儀、玩具等領(lǐng)域,以卓越的性能和穩(wěn)定的品質(zhì)贏得了客戶(hù)的廣泛贊譽(yù)。無(wú)論是產(chǎn)品的性能還是服務(wù)的質(zhì)量,我們都力求做到最好,以滿(mǎn)足客戶(hù)不斷變化的需求。
            百盛新紀(jì)元秉持倉(cāng)儲(chǔ)式的經(jīng)營(yíng)理念,以誠(chéng)信、感恩、服務(wù)為宗旨,致力于為客戶(hù)提供多元化、全方位的優(yōu)質(zhì)服務(wù)。我們深知,只有真正站在客戶(hù)的角度思考問(wèn)題,才能贏得客戶(hù)的信賴(lài)和支持。因此,我們始終堅(jiān)持用心服務(wù),用心傾聽(tīng),用心滿(mǎn)足客戶(hù)的每一個(gè)需求。


            PL7022/B 雙節(jié)可充電鋰電池保護(hù)電路
            PL7022/B 雙節(jié)可充電鋰電池保護(hù)電路
            PL7022/B 雙節(jié)可充電鋰電池保護(hù)電路
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            PL7022/B 雙節(jié)可充電鋰電池保護(hù)電路

            • 庫(kù)存100000 PCS
            • 品牌PULAN/普藍(lán) PL7022/B
            • 數(shù)量
            詳情
            概述
            PL7022/B 是一款基于 CMOS 的雙節(jié)可充電鋰電池保護(hù)電路,它集高精度過(guò)電壓充電保護(hù)、過(guò)電壓放電保護(hù)、過(guò)電流充電保護(hù)、過(guò)電流放電保護(hù)、電池短路保護(hù)等性能于一身。
            正常狀態(tài)下,PL7022/B 由電池供電。當(dāng)兩節(jié)電池電壓(VBATU/VBATD)都在過(guò)電壓充電保護(hù)閾值(VOCU/D)和過(guò)電壓放電保護(hù)閾值(VODU/D)之間,且其 VM 檢測(cè)端電壓在過(guò)電流充電保護(hù)閾值(VECI)和過(guò)電流放電保護(hù)閾值(VEDI)之間,此時(shí)PL7022/B 的 COUT 端和 DOUT 端都輸出高電平,分別使外接充電控制 N-MOSFET 管Q1 和放電控制 N-MOSFET 管 Q2 導(dǎo)通。這時(shí),既可以使用充電器對(duì)電池充電,也可以通過(guò)負(fù)載使電池放電。
            PL7022/B 通過(guò)檢測(cè)兩個(gè)電池電壓來(lái)進(jìn)行過(guò)充/放電保護(hù)。當(dāng)充/放電保護(hù)條件發(fā)生時(shí),COUT/DOUT 由高電平變?yōu)榈碗娖剑?Q1/Q2 由導(dǎo)通變?yōu)榻刂梗瑥亩?放電過(guò)程停止。PL7022/B 對(duì)每種保護(hù)狀態(tài)都有相應(yīng)的恢復(fù)條件,當(dāng)恢復(fù)條件滿(mǎn)足以后,COUT/DOUT 由低電平變?yōu)楦唠娖剑?使 Q1/Q2 由截止變?yōu)閷?dǎo)通,從而進(jìn)入正常狀態(tài)。

            PL7022/B 對(duì)每種保護(hù)/恢復(fù)條件都設(shè)置了一定的延遲時(shí)間,只有在保護(hù)/恢復(fù)條件持續(xù)到相應(yīng)的時(shí)間以后,才進(jìn)行相應(yīng)的保護(hù)/恢復(fù)。如果保護(hù)/恢復(fù)條件在相應(yīng)的延遲時(shí)間以前消除,則不進(jìn)入保護(hù)/恢復(fù)狀態(tài)。當(dāng) VM 小于-5V,VDD 從 0V 升高至正常值時(shí),芯片將進(jìn)入快速檢測(cè)模式,縮短延遲時(shí)間,并禁止過(guò)電流充電保護(hù)功能。過(guò)電壓充電檢測(cè)和過(guò)電壓放電檢測(cè)延遲時(shí)間會(huì)縮短到將近 1ms,這能有效地縮短保護(hù)電路 PCB 的檢測(cè)時(shí)間。當(dāng) VM 升高至 0V 以上時(shí),芯片將退出快速檢測(cè)模式。


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              聯(lián)系我們(公司至今已銷(xiāo)售IC十五年)

              深圳市百盛新紀(jì)元半導(dǎo)體有限公司

              鄭曉曉

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